ソニー α7S III 確認が取れた3つの仕様 センサー・放熱構造・メモリーカード
ソニー「α7S III」の正式発表が迫る中、不確定要素が多い情報が錯綜していますが、SARが3つのスペックの裏付けが取れたと噂しています。
イメージセンサー
- 「α7S III」は、1200万画素 裏面照射型(BSI)センサーを搭載している
- 1200万画素 Quad Bayerセンサー搭載の兆候はない ※ベースは4800万画素センサー
Quad Bayerセンサー搭載が搭載される新たな情報(噂)は、入ってきていない事が伺えます。ついに「α7Sシリーズ」に裏面照射型センサーが搭載されそうな展開に。おそらく裏面照射と積層構造による1200万画素センサーを搭載してくるのではないでしょうか。
放熱構造
- 「α7S III」は、(冷却ファンなどの)放熱構造ではなく、シンプルで新しいパッシブ・クーリング(自然冷却で放熱)システムを採用している
一時期パナソニック「S1H」のように放熱ファンを採用するのではないか？と噂されましたが、どうやら従来通りパッシブ・クーリング・システムで対応してきそうな感じです。新しいシステムを採用し熱対策を施しているようなので、あのカメラのような熱問題が起こらない事に期待です。
メモリーカード
- デュアルカードスロットを採用
- 各カードスロットは、「SDカード」と「CFexpress Type Aカード」に対応し、両カードを刺す事ができる
「CFexpress Type Aカード」採用だけでもサプライズですが、各カードスロットが、SD/CFexpress Type A に対応し、どちらも挿せるシステムになっており注目を集めそうです。動画の仕様は分かっていませんが、設定によっては「CFexpress Type Aカード」でしか記録できないモノがあるかもしれません。発売記念キャンペーンで「CFexpress Type Aカード」をプレゼントとかあれば、ユーザーの負担は最小限に。
「α7S III」は、海外では日本時間 7月28日(火) 23:00 に先行発表され、国内では7月29日(水) 13:00に発表される予定です。あと何度も言うようですが、ソニーの精度の高い情報(噂)は発表直前にならないと登場しない事が多いので注意してください。